Новый еженедельный дайджест мира АТ от F2 innovations за прошедшую неделю.
Государство
ГОСТ на алюминиевые сплавы для 3D печати упростит применение в промышленности
Федеральное агентство по техническому регулированию и метрологии (Росстандарт) выпустило национальный стандарт «Аддитивные технологии. Изделия из алюминиевых сплавов, изготовленные методом селективного лазерного сплавления» (ГОСТ Р 71758). Стандарт может быть использован при разработке конструкторской документации и выпуске продукции из алюминиевых сплавов с применением технологий 3D печати.
«Создание и развитие нормативной базы, регулирующей использование алюминия в отраслях экономики — одно из важнейших направление в работе Алюминиевой ассоциации и входящих в нее компаний. Появление ГОСТа значительно упростит применение порошковых сплавов для 3D печати, прежде всего в машиностроении: теперь конструкторские бюро при разработке новых изделий и компонентов смогут в конструкторской документации ссылаться на Национальный стандарт и зафиксированные в нем свойства сплавов», — прокомментировала председатель Алюминиевой ассоциации Ирина Казовская.
Сейчас в национальный стандарт включены четыре металлопорошковые композиции для 3D печати — сплавы системы алюминий-кремний-магний РС-300, РС-320 и РС-356 и алюминиево-скандиевый сплав РС-553, обладающий повышенной прочностью и позволяющий за счет снижения материалоемкости создавать сверхлегкие детали и компоненты. В ГОСТ после проведения соответствующих испытаний могут быть включены другие сплавы от любых производителей.
Свыше 2,2 миллиарда рублей выделит федеральный бюджет на НИОКР (научно-исследовательские конструкторские работы) для улучшения характеристик и оптимизации веса самолета МС-21-310, который разрабатывается на Иркутском авиационном заводе.
Как выяснилось, МС-21 получился ближнемагистральным самолётом вместо среднемагистрального, именно поэтому Госдума одобрила выделение из бюджета ещё 2,2 миллиарда рублей, чтобы сделать его снова среднемагистральным. Средства пойдут на опытно-конструкторские работы и научно-исследовательские с целью снижения массы судна, а также улучшения аэродинамических и летно-технических характеристик.
Российские ученые создали аэрозольный принтер для печати компактных микросхем и нейроимплантов
Инженеры из МФТИ разработали первый в России принтер, использующий технологию аэрозольной печати для создания компактных микросхем, датчиков и нейронных имплантов. Устройство позволяет формировать изделия из широкого спектра материалов и компонентов, создавая элементы, чья толщина не превышает толщину человеческого волоса.
В отличие от традиционных методов производства микросхем, таких как фотолитография и трафаретная печать, аэрозольный принтер функционирует без необходимости в защитных средствах, а процесс печати значительно упрощен и ускорен.
Новый принтер способен формировать структуры на поверхности материала с толщиной до 10 микрометров, что в несколько раз тоньше человеческого волоса.
Новые 3D чипы могут сделать электронику более быстрой и энергоэффективной
Усовершенствованный полупроводниковый материал нитрид галлия, вероятно, станет ключевым для следующего поколения высокоскоростных систем связи и силовой электроники, необходимой для современных центров обработки данных.
Исследователи из Массачусетского технологического института и других организаций разработали новый производственный процесс, который интегрирует высокопроизводительные GaN-транзисторы в стандартные кремниевые КМОП-чипы способом, который является недорогим и масштабируемым, а также совместимым с существующими заводами по производству полупроводников.
Их метод заключается в создании множества крошечных транзисторов на поверхности чипа GaN, вырезании каждого отдельного транзистора, а затем прикреплении необходимого количества транзисторов к кремниевому чипу с использованием низкотемпературного процесса, который сохраняет функциональность обоих материалов.
Стоимость остается минимальной, поскольку в чип добавляется лишь небольшое количество материала GaN, но полученное устройство может получить значительный прирост производительности от компактных высокоскоростных транзисторов. Кроме того, разделяя схему GaN на дискретные транзисторы, которые могут быть распределены по кремниевому чипу, новая технология способна снизить температуру всей системы.